光控磁存储革命：中国团队突破下一代内存技术瓶颈
一道激光闪过，纳米磁体的状态瞬间改变——这不再是科幻场景，而是下一代内存技术的真实突破。当计算速度遭遇存储瓶颈，科学家开始向光与磁的量子世界寻求答案。
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你知道吗？电脑能实现开机秒唤醒，全靠这个元件！
甚至AI服务器，能实现开机秒唤醒、几乎零延迟，内存和存储不再分家——想实现这个梦想，不一定非要打破冯诺依曼存算分离的架构，把内存做得更优、给未来计算机装上“磁力记忆”，速度和稳定性兼得，或许也能打造出超低功耗信息存储元件。最新的科研结果又给业界一针“强心剂”。
MRAM磁阻式随机存取存储器的核心特性
MRAM，全称为磁阻式随机存取存储器（Magnetoresistive Random Access Memory），是一种基于隧穿磁阻（TMR）效应的非易失性存储技术，被广泛视为当前最具潜力的新型存储解决方案之一。
存储芯片不止“老面孔”！这4个新宠悄悄崛起，看懂早布局
关注科技股的朋友，最近聊存储芯片是不是还只想到DRAM、NAND这些“老熟人”？其实行业早悄悄变天了——随着AI、新能源车、物联网的爆发，4个存储芯片“新宠”正在快速冒头，它们不是炒概念，而是有实实在在的需求撑着，连机构都在悄悄加仓。今天用大白话拆解这4个新方
10倍能效革命！瑞典团队攻克磁性存储，中国在此已实现关键突破
“如果放任数据存储能耗增长，未来几十年内，它将吞噬全球30%的电能。”当瑞典查尔莫斯理工大学的研究团队在《先进材料》期刊上抛出这个惊人预测时，他们同时带来了破局的钥匙——一种原子级薄的磁性晶体，能让存储芯片能效直接提升10倍。这场被业内称为“绿色计算里程碑”的
EVERSPIN MR25H10CDF非易失性MRAM技术特性分析
MR25H10CDF该存储器容量1Mbit（128KB×8），采用MRAM技术，无需电池备份可永久保存数据。工作电压1.7V-3.6V，支持工业级温度范围（-40℃至+85℃），适合恶劣嵌入式应用。存储单元基于MTJ原理，有无限次读写寿命（>10¹⁶次），远超
存储芯片七大核心赛道梳理（附龙头名单）
存储芯片作为半导体产业规模最大的分支之一，2024年全球市场销售额约1,655亿美元，占半导体总规模逾四分之一。存储芯片主要包括内存(如DRAM)和闪存(如NAND Flash)两大类，其中DRAM和NAND合计几乎囊括了90%以上的存储市场规模。